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立昂微(605358)经营总结
截止日期2024-12-31
信息来源2024年年度报告
经营情况  一、经营情况讨论与分析
  2024年全球经济呈现“弱复苏、高波动、强分化”特征。亚太新兴市场依托制造业复苏保持中高速增长,欧美发达经济体受高利率与能源转型阵痛制约增速放缓。叠加地缘政治冲突及产业链重构加速,全球半导体市场面临复杂变局。在此环境下,公司经营也迎来多重挑战:需求变化导致产品价格承压,扩产转产推高固定成本,叠加可转债利息及存货跌价计提,利润空间持续收窄。面对严峻形势,在公司董事会领导下,全员攻坚克难,推动产能、技术、市场与良率实现显著提升,发展态势持续向好。
  报告期内,公司实现营业收入309,231.66万元,较上年同期增长14.97%,创出历史新高;剔除利息、折旧摊销等因素的影响后,EBITDA(息税折旧摊销前利润)为63,669.83万元,较上年同期下降26.56%;实现归属于上市公司股东的净利润-26,575.71万元,较上年同期下降504.18%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-26,595.86万元。
  影响2024年度公司业绩下降的主要因素有:
  1、产能扩张带来的成本压力。随着2023年扩产项目陆续转产,本报告期折旧摊销支出93,907.26万元,较上年同期增加20,760.50万元,给公司带来了较大的成本压力;2、产品降价导致毛利率大幅下降。为了适应行业周期波动,同时大力拓展市场份额,公司主要产品售价相比2023年下降明显,叠加固定成本增加的影响,导致综合毛利率由2023年度的19.76%下降至2024年度的8.74%,减少了11.02个百分点,毛利总额同比减少26,097.75万元。
  3、公允价值变动损失导致利润减少。2024年度公司持有的上市公司股票股价变动产生公允价值变动损失2,056.81万元(上年同期为公允价值变动收益1,822.72万元)。
  报告期内,经营活动产生的现金流量净额为81,096.60万元,与上年同期的102,679.73万元相比,减少21,583.13万元,降幅21.02%,主要系本期质押用于开具银行承兑汇票支付材料采购款的定期存款增加所致;投资活动产生的现金净流出210,773.48万元,与上年同期的186,068.49万元相比,增加24,704.99万元,增幅13.28%,主要系本期购建固定资产支付的现金相比上年同期增加所致;筹资活动产生的现金净流入110,790.59万元,较上年同期增加178,316.93万元(上年同期为净流出67,526.34万元),主要系公司本期银行长期借款增加所致。
  报告期末,公司总资产1,932,283.05万元,较期初增长5.73%;总负债1,098,906.70万元,较期初增长25.87%;归属于上市公司股东的净资产733,773.09万元,较期初下降7.96%。
  报告期内,公司开展的经营工作主要情况如下:
  1、产品矩阵迭代升级,出货营收双双突破历史峰值
  公司秉持长期主义发展理念,坚持与国家战略同频共振,依托全产业链优势,凭借敏锐的市场洞察力、完善的产品矩阵、深厚的技术积淀、多元化的工艺平台以及规模化生产能力,把握电子信息行业复苏及AI、机器人、低空经济等新兴应用场景机遇,聚焦车载、工控、消费电子领域需求,深化BCD、CIS、超低阻半导体硅片、FRD芯片、IGBT芯片、VCSEL芯片、pHEMT芯片等高附加值产品布局,通过产品创新驱动营收与出货量创历史新高。
  在半导体硅片领域,公司成功开发出高压IGBT器件用低氧高阻硅抛光片、超结MOSFET器件用硅外延片、低压MOSFET器件用超低电阻率硅抛光片和硅外延片等8英寸及12英寸产品,并顺利导入Vishay(威世)、台湾富鼎、重庆芯联、深圳润鹏等十余家海内外头部客户,加速拓展工业控制、汽车电子及消费电子等应用市场。市场需求持续增长的同时,有力促进了相关产品的技术创新迭代。
  在功率器件芯片领域,基于自主研发的600-1200VFRD芯片量产技术及高压沟槽肖特基二极管芯片设计技术,公司成功推出车规级系列产品,实现从技术突破到规模化量产的重要跨越。产品凭借超低功耗和卓越性能,在消费电子、工业控制、光伏逆变器及汽车电子四大领域实现快速渗透。特别是在新能源汽车市场,通过与行业领军企业的战略合作,公司产品的市场竞争力和品牌价值获得显著提升。随着汽车产业电动化、智能化转型加速,汽车电子业务已成为公司未来增长的关键引擎。
  在化合物半导体射频芯片领域,公司聚焦5G通信、智能驾驶、机器人、低空经济产业,在二维可寻址大功率激光器技术上取得重大突破,构建了从核心器件研发到终端应用的全链条技术体系。通过持续深化产学研协同创新机制,公司关键技术攻关取得系列突破,与战略客户联合开发的产品已进入稳定放量期,为公司在5G通信、智能驾驶、机器人、低空经济等黄金赛道建立差异化竞争优势提供了坚实支撑。
  2、高强度研发显成效,三大板块同步实现里程碑突破
  技术创新作为企业发展的战略引擎,是构建市场竞争壁垒的核心要素。公司始终以市场需求为导向,依托技术创新平台实施精准攻关,通过突破关键工艺、加速高附加值产品研发,持续强化核心技术储备。2024年,公司研发投入达2.9亿元,同比增长4%,占营业收入比例9.39%。研发团队规模持续扩大,截至2024年末技术研发人员增至563人,较2023年净增29人,占员工总数的比例为16.14%,其中硕士及以上学历占比32%。依托持续的研发投入与技术积累,公司稳步拓宽产品矩阵,深化下游行业应用,推进产品迭代升级。
  在半导体硅片领域,成功开发14类具有差异化应用场景的新产品,具体包括:12英寸新产品93款,进入量产的有72款;8英寸新产品95款,进入量产的有68款;6英寸新产品118款,进入量产的有106款。12英寸新品销售额占同尺寸产品营收76%,8英寸新品销售额占同尺寸产品营收32%,6英寸新品销售额占同尺寸产品营收20%。公司攻克逻辑芯片及存储芯片用12英寸硅片制造技术,突破12英寸P型轻掺单晶、12英寸闪存用单晶工艺和动态内存用单晶工艺,同步推进8英寸重掺砷低阻产品及8英寸重掺磷超低阻单晶工艺升级,产品已进入客户送样验证阶段。
  在功率器件芯片领域,聚焦高频化、高压化趋势,为H公司等多家战略客户开发高频低损耗、高可靠性FRD芯片系列产品,在新能源汽车与工业控制领域加速国产替代,自主研发的代工平台获得产业链主流厂商认可,为工业通信设备及电源管理芯片的自主可控提供支撑。
  在化合物半导体射频芯片领域,2DVCSEL产品凭借高精度、低功耗及车规级可靠性优势,切入智能驾驶与机器人核心供应链,应用于车载激光雷达等场景;pHEMT产品以全频段覆盖、超低噪声及高频功率特性,突破5G毫米波与卫星通信关键技术瓶颈。
  截至2024年末,公司累计获得85项授权专利(其中38项发明专利),进一步夯实技术壁垒,巩固行业领先地位。
  3、射频技术强势突围,卡位低轨卫星和人工智能终端新蓝海
  化合物半导体射频芯片业务在2024年实现战略转型升级:技术全面突破并加速下游应用落地,产能利用率显著提升带动月出货量持续增长,同时把握国际国内市场需求变化,成功切入低轨卫星、低空经济、机器人、智能驾驶及光通信等新兴领域供应链。公司构建了覆盖射频芯片与激光器芯片的量产代工平台,形成基站射频前端、卫星通信收发芯片、车载激光雷达等全场景产品矩阵。GaN射频器件凭借高功率密度特性助力客户设备小型化与能效升级,满足5G基站MassiveMIMO及低轨卫星终端等前沿需求。
  在国内率先基于双异质结技术开发出首款InGaPDHBT工艺,其功率附加效率(PAE)与抗失配(Ruggedness)性能达到国际先进水平。HBT工艺技术已量产9种差异化方案,其中LH05工艺以高线性特性适配基站/WiFi场景,LH07工艺以高健壮性服务卫星通信,LH09工艺集成高增益与高线性优势,全面覆盖现有及下一代通信系统需求。全球首发支持功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)及开关(SW)的0.15μmE/D-modeGaAspHEMT多功能工艺,同时突破二维可寻址大功率VCSEL工艺技术,成为全球首家量产车规级激光雷达VCSEL芯片的制造商,产品已应用于智能驾驶与机器人领域。宇航级射频芯片实现低轨卫星终端规模化交付。
  公司开发的国内第一款6英寸0.45微米的碳化硅基氮化镓(GaNHEMT)工艺技术取得重要进展,技术指标对标或超过竞品,6英寸0.25微米的GaNHEMT工艺技术也在加紧开发中。
  立昂东芯以高频高功率技术为核心驱动力,依托全产业链掌控能力和国产化先发优势,通过持续研发迭代实现工艺节点突破,公司成长为国内先进代工厂,打破海外厂商垄断格局,确立国产替代领军地位。
  4、大客户战略实施成效显著,三大业务协同发展助力营收增长2024年,立昂微以技术引领、产能保障、服务优化为三大支点深化大客户战略,推动三大业务板块协同突破。通过构建"半导体硅片+功率器件芯片+射频芯片"全产业链闭环,实现从材料到终端产品的深度整合,客户结构持续优化,战略客户合作深度与广度显著提升。在车载领域形成金瑞泓定制硅片、立昂微车规器件芯片、立昂东芯激光雷达芯片的一站式解决方案,显著缩短客户产品开发周期并提升供应链效率。
  半导体硅片业务实现12英寸轻掺硅片规模化量产,良率与品质对标国际水平,成功导入中芯国际、华虹半导体等头部厂商供应链,12英寸硅片销量同比激增121.23%,在逻辑/存储芯片领域市场份额持续扩大。功率器件芯片业务聚焦新能源与光伏赛道,市场份额稳居国内市场前茅,车规级FRD、IGBT产品通过比亚迪等车企认证并稳定放量。射频芯片业务突破5G基站、卫星通信、智能手机核心技术,面向中兴等通信设备龙头,助推5G基站射频国产化率突破60%;智能手机端三维异构集成芯片进入H公司的供应链,带动射频芯片营收同比增长115.08%。射频芯片业务合作模式升级至联合研发与产能共建,在5G通信、新能源汽车等战略领域形成深度绑定,持续巩固行业领军地位。
  5、持续改进质量管理体系,不断提高质量保证能力
  公司以质量创新为核心战略,依托半导体全产业链协同优势,构建卓越绩效管理、全流程质量追溯及数字化实验室系统,实现产品良率与可靠性指标行业领先。在原材料管控、生产工艺优化、检测验证等环节实施全链路精细化管理,为严格质控提供资源保障。通过建立供应商协同管理系统,有效整合供应链资源,推动供应商技术交流与能力升级,确保原材料品质稳定可靠。
  严苛质控体系助力公司实现客户审核100%通过率,成功切入多家新的头部企业供应链,荣获华润微、浙江创芯、南通皋鑫颁发的“优秀供应商”奖,瑞能半导体、杭州道铭颁发的“最佳供应商”奖,吉顺芯微的“最佳交付奖”、扬杰科技的“潜力协作伙伴”奖、士兰微的“战略合作供应商”奖等,赢得市场高度认可,持续巩固行业领军地位。
  7、强化成本控制,提升运营效率
  2024年,面对原材料波动与市场竞争加剧的双重压力,公司深化“向管理要效益”战略,全面推进降本增效与成本控制体系建设,取得显著成效。生产端推行精益管理架构革新,硅片事业部通过推行精益生产管理建立标准化作业体系、新设成本管理部细化成本模型,关键工序效率提升明显。供应链端发挥集中采购优势,通过国产替代、战略合作、竞价机制等组合策略,大幅降低原辅料采购成本,持续推行供应商库存管理模式,有效减少原材料资金占用。能源管理方面,通过设备运行参数优化、循环系统升级及屋顶光伏发电、废水处理装置改进等,实现综合能耗大幅降低,形成质量与成本的双重竞争优势。
  8、深化战略布局,推动发展新韧性
  积极响应国家战略部署,深度融入产业发展大局,以“国之大者”的使命担当,主动承接集成电路材料领域链主企业任务。作为牵头单位组建浙江省先进半导体材料创新联合体,通过供应链协同、联合技术攻关等模式,强化产业链上下游协作,持续提升资源整合效能与产业聚合能力,有力推动半导体设备及材料国产化进程。2024年,公司以终端用户身份参与上游材料厂商赛迈科实施的等静压石墨研发项目,并加入由拓烯科技牵头的晶圆载具关键材料创新联合体的研发工作。
  立昂东芯与浙江金瑞泓分别取得高新技术企业认定,浙江金瑞泓和立昂微成功入选浙江省制造业单项冠军培育企业,其中立昂微光伏用肖特基二极管产品由浙江省经信厅推荐申报国家制造业单项冠军。此外,公司斩获杭州市数字经济百强、ESG公益示范企业等多项荣誉,浙江金瑞泓入选宁波市制造业百强企业名单,立昂东芯获评杭州市钱塘区“雨燕企业”称号。
  

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