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| 北方华创(002371)经营总结 | | 截止日期 | 2024-12-31 | | 信息来源 | 2024年年度报告 | | 经营情况 | 第三节管理层讨论与分析
一、报告期内公司所处行业情况
北方华创始终秉承“推动产业进步，创造无限可能”的企业使命，立足半导体基础产品领域，深耕半导体装备、真空及新能源装备、精密电子元器件等业务板块，致力于成为半导体基础产品领域值得信赖的引领者。
（一）半导体装备业务板块
1、集成电路装备领域2024年，全球集成电路产业在技术创新、市场需求及供应链重塑的多重驱动下，步入新一轮增长周期。尽管全球经济增速放缓与地缘政治风险持续存在，但受益于人工智能（AI）、高性能计算（HPC）的高速发展，汽车电子及消费电子回暖等因素的驱动，全球集成电路市场规模达到6,260亿美元，创历史新高。
随着生成式AI应用在全球范围内迅速普及，国内外厂商纷纷加快AI产业布局，市场需求快速爆发，同时带动AIGPU HBM芯片需求快速增长，也给半导体市场的发展注入新的增长动力。尤其是高算力 芯片和高性能 芯片，成为生成式AI未来发展的关键环节，带动集成电路市场走向历史新高。集成电路行业的另一个增长点是汽车电子。汽车电子芯片按照功能可以分为主控芯片、功率芯片、存储芯片、传感器芯片、模拟芯片和通信芯片等。随着汽车电动化、智能化、网联化的快速发展，每辆汽车上使用的芯片种类和数量持续增长。根据中国汽车工业协会提供的数据，传统燃油车所需汽车芯片数量为600~700颗/辆，电动车所需汽车芯片数量将提升至1,600颗/辆，而更高级的智能汽车对芯片的需求量将3,000 / 2024有望提升至 颗辆。另外， 年消费电子市场也逐渐回暖，手机、平板、个人电脑等消费电子出货量普遍迎来
2%~5%的增长，带动了芯片产能的回暖。数据来源：Gartner
市场对芯片的强劲需求，驱动了芯片工艺持续迭代，并逐步向精密化、集成化方向演进。这一变化对集成电路装备
SEMI 2024 1,161不断提出挑战，高端集成电路装备的重要地位日益凸显。根据 统计， 年全球集成电路装备的销售额达亿美元，创历史新高。中国大陆作为全球最大的芯片消费市场，对集成电路装备的需求保持增长，2024年中国大陆集成
电路装备销售额为 亿美元，继续位居全球首位。数据来源：SEMI
2、先进封装装备领域
在半导体行业步入“后摩尔时代”的背景下，芯片制程微缩面临物理极限与成本激增的双重挑战。2024年，全球半
导体产业将目光聚焦于先进封装技术，其通过异构集成（如Chiplet）、三维堆叠等创新工艺，为延续芯片性能提升提供了新的路径。据YoleGroup预测，全球先进封装市场规模将从2023年的378亿美元增至2029年的695亿美元。这一增长主要得益于AI、高性能计算及5G/6G技术对算力密度的极致需求，以及数据中心、自动驾驶等领域对低功耗、高可靠性封装的迫切需要。同时，先进封装技术也沿着多元化方向发展。2.5D/3D封装成为AI芯片的核心封装方案；系统级封装（SiP）通过微型化集成技术，在可穿戴设备、AR/VR领域占据优势；扇出型封装（FOPLP）加速布局，以更低成本和更大灵活性满足5G与消费电子需求；混合键合技术作为下一代高密度集成的关键，各个头部厂家等正推动其量产进程。先进封装技术的迭代对先进封装装备提出更高要求，推动行业进入增量发展新阶段。据TechInsights数据，2024年全球先进封装装备市场规模达31亿美元，创历史新高。与此同时，先进封装装备技术快速升级，前道工艺后移，推动刻蚀、薄膜沉积、电镀等设备需求快速增加。国内设备厂商依托本土产业链优势，在细分领域实现突破。、化合物半导体装备领域
2024年，新能源汽车、AI、可再生能源等领域需求的爆发式增长，推动以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为核心的化合物半导体加速从“实验室创新”迈向“规模化商用”的关键阶段。相较于传统硅基半导体，化合物半导体具备宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率等优异特性，能够在高温、高功率、高频等极端条件下稳定运行。在新能源汽车的车载充电、功率转换系统中，化合物半导体器件可显著提升能源利用效率，减小设备体积；在AI算力中心的电源管理环节，化合物半导体器件能降低能耗，保障算力设备稳定运行；在可再生能源的电能转换与传输场景里，化合物半导体器件有助于提升电力传输稳定性，降低传输损耗，成为各领域不可或缺的关键部件。化合物半导体行业市场规模不断扩大。在新能源汽车领域，2024年全球新能源汽车销量持续高速增长，我国新能源汽车产销分别完成1,288.8万辆和1,286.6万辆，同比分别增长34.4%和35.5%，新能源汽车销量达到汽车总销量的40.9%。新能源汽车对车载充电器、逆变器等器件性能要求不断提升，带动了碳化硅、氮化镓等化合物半导体器件的广泛应用。AI算力方面，2024年中国智能算力规模达725.3百亿亿次浮点运算/秒（EFLOPS），同比增长74.1%，为满足数据中心对高效、稳定电源管理需求，氮化镓等化合物半导体功率器件在电源模块中的应用日益广泛。可再生能源领域，我国
2024年可再生能源发电装机达到18.89亿千瓦，同比增长24.6%，在风电、光伏逆变器中，化合物半导体器件可有效提升电能转换效率，降低系统成本，市场需求持续攀升。在下游旺盛需求的拉动下，化合物半导体装备市场订单量迎来快速增长，众多设备厂商纷纷加大研发投入，推出适配化合物半导体生产的新型设备，以抢占市场先机，整个化合物半导体装备产业正处于蓬勃发展的上升通道。
（二）真空及新能源装备业务板块
1、真空装备领域
2024年，国内热处理装备行业在高端化、智能化与绿色化方向持续突破，市场规模突破200亿元，较2020年增长超30%。真空热处理装备通过优化真空系统设计与温度均匀性控制，实现了复杂零部件的精密处理，在航空航天、新能
源汽车等领域的应用占比提升至35%。气氛保护热处理装备通过可控气氛动态调节技术，显著提升了齿轮、轴承等关键部件的表面性能。连续式热处理装备呈现高速发展态势，国产连续式装备在汽车零部件热处理领域的市占率大幅提升，逐步打破国外厂商在高端市场的垄断。同时，在双碳政策的有力推动下，2024年新能源汽车行业延续了迅猛增长的态势，为磁性材料设备行业开拓了广阔空间，国内进一步加大了对基础材料、基础设备的研发投入，真空表面热处理装备所处的基础工业领域迎来了发展机遇。
2、新能源装备领域
在新能源光伏装备领域，2024年，我国光伏产业链主要环节产量持续增长，全国光伏新增装机277.57GW，累计并网容量突破880GW，继续领跑全球。多晶硅、硅片、电池片及组件产量分别达182万吨、753GW、654GW和588GW，同比增速均超10%。组件出口量增长12.8%，覆盖38个超“1GW”市场，亚洲新兴市场成为重要增长点。然而，行业面临价格下行与盈利压力，组件价格同比下降30%以上，部分环节出现阶段性亏损，倒逼企业加速技术创新与低效产能
出清。从技术路线看，依据行业数据，2024年N型TOPCon电池片以超过70%的市占率成为主流技术路线，其规模化生产转换效率达到25.4%，相较于2023年显著提升0.8个百分点，高效电池产能的大量释放有力推动了产业升级。异质结与XBC技术虽当前市占率仅分别为4%和5%，但其转换效率已突破25.6%和26.0%，展现出巨大的技术潜力与发展空间。随着TOPCon产能持续释放、异质结与XBC技术产业化推进，以及钙钛矿等新一代技术不断突破，装备需求正从单一环节向全流程智能化升级转变。同时，全球装机需求重心向新兴市场转移，叠加国内“双碳”目标支撑，光伏装备领域有望在技术创新与市场扩张中实现结构性突破。在新能源锂电装备领域，随着技术的不断成熟与市场的逐步拓展，新型锂电材料及设备的市场空间将持续扩大。高质量的动力锂电池资源依旧处于稀缺状态。在下一代高能量密度锂电池中，新型的复合集流体应用市场目前在逐渐形成，有望成为推动锂电技术升级的关键力量。预计2025年锂电装机量将攀升至1,390GWh，迈向TWh级别，根据预测，2030年复合集流体制造装备需求将达到188亿元人民币，渗透率将达到22%。在氢燃料电池装备领域，随着氢燃料电池的持续迭代，技术渐趋成熟，加之上游电源结构朝着清洁化加速转型，氢燃料电池有望在未来步入快速发展阶段。在交通领域，氢能汽车将成为重要的应用场景。国际能源署数据显示，全球氢能车销量已从2021年的不足万辆增至2024年的1.65万辆，预计到2030年将突破185万辆。根据国际氢能委员会预测，到2050年氢能在全球终端能源消费中的占比将从当前的0.1%跃升至18%，形成2.5万亿美元规模的产业链。氢燃料电池市场的未来预期，也推动氢燃料电池装备产业进入规模化发展新阶段。
（三）精密电子元器件业务板块
随着新兴应用蓬勃发展，以低空经济、商业航天、人工智能、新能源汽车、智能机器人等为代表的新兴领域不断拓
展，精密电子元器件行业迎来新的机遇。新兴领域对设备体积与性能要求更加严苛，推动精密电子元器件不断向“小型化、集成化、高精密、高可靠”方向发展。与此同时，在产业链、供应链需求的推动下，精密电子元器件行业的国产化替代进程加速，进一步扩展了国内电子元器件业务的市场空间。
四、主营业务分析
（一）概述
1、半导体装备
（1）刻蚀设备
在集成电路制造工艺中，刻蚀设备主要用于去除特定区域的材料来形成微小的结构和图案。根据权威机构数据，2023年刻蚀设备在集成电路设备资本支出中的占比为15.7%。
刻蚀设备主要通过两种方式实现对材料的精细构建。一是物理刻蚀方式，借助高速发射的离子束，通过物理轰击精
准去除晶圆表面不需要的材料；二是化学刻蚀方式，利用特定化学气体与晶圆表面材料发生化学反应，使多余材料转化为气态并挥发，从而实现对电路结构的精确塑造。随着芯片制造技术不断向更精细化迈进，对刻蚀速率、深宽比以及刻蚀均匀性等关键参数的精确控制提出了更高的要求。同时，随着器件结构从二维到三维的演变，以及新材料（High-k介质/金属栅等）和新工艺（铜线低k介质镶嵌式刻蚀工艺、多次图形工艺等）不断涌现，对刻蚀设备的工艺能力提出了更高的要求。比如，电感耦合等离子体刻蚀机（ICP）要求更高的刻蚀选择比，并将器件的损伤降至最低，因此在更先进的设备中，将配置脉冲等离子体，通过控制更窄的离子能量分布范围来实现需求；电容耦合等离子体刻蚀机（CCP）要求更高的刻蚀速率和刻蚀深宽比，设备将配置更高功率的电源以及更低的温度来精确控制刻蚀的深度、角度，实现工艺需求。北方华创在刻蚀设备领域，已形成了ICP、CCP、Bevel刻蚀设备、高选择性刻蚀设备和干法去胶设备的全系列产品布局。2024年公司刻蚀设备收入超80亿元。北方华创主要批量销售的刻蚀设备包括：产品类别 图示 应用介绍12英寸导体刻蚀设备（ICP） 主要用于12英寸逻辑、存储等领域浅沟槽隔离刻蚀、栅极刻蚀、侧墙刻蚀、金属硬掩膜刻蚀、高k值介质刻蚀、钨/钛/钽等金属及其化合物刻蚀等工艺。
该设备具备高密度电感耦合脉冲等离子体源、多温区静电卡盘、双层结构防护涂层和反应腔原位涂层等核心技术，实现了各技术节点的突破。12英寸深硅刻蚀设备（ICP） 主要用于2.5D、3D先进封装硅通孔及集成电路领域深槽刻蚀。该设备具备快速气体和射频切换控制系统，优异的实时控制性能，在高深宽比深硅刻蚀中可精确控制侧壁形貌，大幅提升刻蚀速率，实现侧壁无损伤和线宽无损失刻蚀效果。12英寸介质刻蚀设备（CCP） 主要用于逻辑芯片大马士革介质刻蚀、存储芯片台阶介质刻蚀、图形介质刻蚀等工艺。该设备具备顶部直流反向电压系统，腔体自清洁工艺，腔体内部绝缘材料控制等关键技术，满足多种技术代制程工艺的需求。12英寸高深宽比刻蚀设备（CCP） 主要用于高深宽比介质深孔刻蚀。该设备配置超高功率射频电源，可激发高能量等离子体，并开发了低温刻蚀和多重脉冲技术，满足更高深宽比刻蚀工艺要求。12英寸晶边刻蚀设备（Bevel） 主要用于晶圆边缘SiO、SiN、Carbon、Metal等多类型膜层去除工艺。通过对等离子刻蚀区域精准控制，可视化调节位置，有效提升边缘良率。该设备已完成各技术代的产品线应用，成为业界首选机型。12英寸高选择性化学刻蚀设备 主要用于12英寸逻辑、存储芯片等领域气体化学反应刻蚀。通过气体匀流、腔室温度的控制、超洁净腔室处理、单腔双晶圆同时刻蚀等核心技术，实现高制程、大产能。12英寸高选择性等离子刻蚀设备 主要用于12英寸逻辑、存储等领域高选择比、低损伤刻蚀。该设备具备高密度等离子发生装置及优良的离子过滤能力，配置多温区静电卡盘等功能，实现了超高选择比、无离子损伤刻蚀工艺。12英寸干法去胶设备 主要用于12英寸逻辑、存储等领域干法去胶工艺。该设备配置高密度低损伤等离子源，实现高去胶速率的同时控制对晶圆表面的损伤，在高剂量离子注入后的去胶、新型材料去胶、3D立体结构及高深宽比Polymer（聚合物）去除等方面技术领先，并具备更长的使用周期及更低的拥有成本、维护成本。8英寸导体刻蚀设备（ICP） 主要用于多晶硅栅极、接触孔、浅槽隔离、深槽、金属硅化物栅极、悬浮栅、回刻蚀工艺，以及金属铝和钨的刻蚀工艺等。8英寸介质刻蚀设备（CCP） SiO SiN主要用于 2、 2 3等介质材料的刻蚀，工艺类型覆盖前道和后道所有介质刻蚀。8英寸化合物刻蚀设备（ICP） 主要用于GaN、SiC、AlO等化合物材料的刻蚀。
等各个技术制程。
（2）薄膜沉积设备
薄膜沉积设备作为半导体制造的核心装备，通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、外延生长（EPI）、电化学沉积（ECP）及原子层沉积（ALD）等技术，在基底表面精准构筑纳米级功能膜层，这些膜层在芯片中
扮演重要的角色。其中，PVD主要采用磁控溅射技术制备高纯度金属互连层；CVD技术通过气相反应生成介质和金属薄膜；外延设备（EPI）通过气相外延或分子束外延实现多种材料的薄膜生长；电镀设备（ECP）通过高深宽比孔内金属填充技术提升芯片互连密度；随着芯片制程向更精细化迈进，薄膜沉积设备需要具备更高的沉积效率和更精确的厚度控制能力，尤其在三维结构中实现均匀覆盖成为关键挑战，原子层沉积（ALD）等先进技术通过精确控制单原子层生长，有效解决了高深宽比结构的全覆盖难题。而新型材料的应用，也促使薄膜沉积设备不断开发新的工艺和技术，以适应不同材料的特性和沉积需求。这对薄膜沉积设备的气体输送系统、反应腔设计以及温度、压力控制精度提出了更高的要求。根据权威机构数据，2023年薄膜沉积设备在集成电路设备资本支出中的占比为22.1%。PVD CVD ALD北方华创在薄膜沉积设备领域，已形成了物理气相沉积（ ）、化学气相沉积（ ）、原子层沉积（ ）、外延（EPI）和电镀（ECP）设备的全系列布局。2024年公司薄膜沉积设备收入超100亿元。北方华创主要批量销售的薄膜沉积设备包括：产品类别 图示 应用介绍12英寸集成电路金属沉积设备（PVD） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片Cu（铜）互连、AlPad（铝垫层）、MetalHardMask（金属硬掩膜）、MetalGate（金属栅）、Silicide（硅化物）等金属化制程工艺。该设备先后突破了磁控溅射源设计、等离子体产生及控制、腔室设计与颗粒控制、软件控制等多项关键技术，实现了对逻辑和存储芯片的全覆盖。12英寸先进封装金属沉积设备（PVD） 主要用于先进封装工艺中Ti、Cu等材料的沉积。该产品具备低温、低损伤、高覆盖率等核心优势技术，应用于先进封装UBM、RDL、TSV工艺的量产，为先进封装行业提供了稳定、高效的生产保障。12英寸介质原子层沉积设备（D-ALD） 该产品包括热式原子层沉积设备（ThermalALD）和等离子增强型原子层沉积设备（PEALD），主要用于12英寸存储芯片金属氧化物薄膜、金属前介质层、硬掩膜层、钝化层、金属连线介质隔离等薄膜沉积，以及先进封装Liner层沉积。该设备具备良好的薄膜均匀性、优异的台阶覆盖率及快速且精准的前驱体控制系统，为客户提供高质量的介质薄膜沉积解决方案。12英寸金属栅极原子层沉积系统（M-ALD） 该设备主要用于先进工艺金属栅极及刻蚀阻挡层薄膜的原子层沉积。设备独特采用将多种前驱体循环通入腔室的方式，实现薄膜的逐层生长以及高精度的厚度和均匀性控制。12英寸管式原子层沉积设备TubeALD（ ） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片氮化硅、氧化硅、Low-k介质、High-k介质及氮化钛薄膜沉积工艺，具备精准控温、控压及批量式晶圆处理能力等优势，可实现高质量、高均匀性、高台阶覆盖率薄膜沉积。12英寸等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅等多种高品质介质薄膜沉积，可满足对钝化层、隔离层、抗反射层、刻蚀停止层等多样化的应用需求。该设备可实现高均匀性、高产能的薄膜沉积，工艺一致性更好、可靠性更高。12英寸高密度等离子体化学气相沉积设备（HDPCVD） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片介质填充工艺。该设备通过同时进行沉积和刻蚀的工艺方式，有效完成高深宽比沟槽的介质填充，具备高沉积速率、优异的填孔能力和高致密的薄膜质量等优势。12英寸低压化学气相沉积设备（LPCVD） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片接触孔和通孔填充。该设备通过精确的温度、气体脉冲时间和压力控制，实现高深宽比结构填充需求。12英寸管式化学气相沉积设备（TubeCVD） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片氮化硅、氧化硅、多晶硅及非晶硅沉积工艺。该设备凭借先进的控温技术及腔室气流特性优化设计，实现在平面和复杂立体结构的精确薄膜沉积，并具备优异的均匀性和台阶覆盖能力。12英寸外延设备（EPI） 该设备包括常压外延设备和减压外延设备。常压外延设备主要用于12英寸硅外延片和功率器件外延生长，减压外延设备主要用于集成电路制造中的减压选择性外延工艺。该设备工艺性能达到了国际主流水平，实现了外延领域设备和工艺的全面覆盖，是国内扩产的首选机台。12英寸电镀设备（ECP） 2025年3月正式发布。该设备通过电解原理在晶圆表面沉积金属互连层，是集成电路和先进封装（如TSV、Fan-Out）的核心装备。该设备通过实时优化电场、流场、药液浓度及电镀参数，减少缺陷，提高芯片良率和可靠性，实现高深宽比TSV填充。8英寸物理气相沉积设备（PVD） 主要用于8英寸晶圆多种金属薄膜沉积工艺。广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。8英寸等离子增强化学气相沉积设备（PECVD） 主要用于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积工艺。广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。8英寸金属有机化学气相沉积设备（MOCVD） 主要用于功率、射频、光电子、Micro-LED、高效光伏等器件中的外延生长。8英寸硅外延设备（EPI） 主要用于体硅外延、埋层外延、选择性外延等多种特色工艺。该设备具备精准的压力、气流场与温场控制，保证了外延片良好的工艺性能，保证成膜质量。8英寸碳化硅外延设备（EPI） 主要用于SiC外延工艺。该设备采用水平热壁式技术路线，应用先进的控温、控压算法和专业的进气、混流结构，保证热场和气流场均匀稳定。厚度均匀性、掺杂浓度均匀性、缺陷密度等工艺指标达到了行业领先水平。
（3）热处理设备
热处理设备是半导体制造中用于调控材料性质的核心装备，通过精确控制温度、时间及气体环境，实现氧化、扩散、
退火等工艺。其技术路径主要包括：氧化工艺，在高温下（800~1200℃）通过氧气或水蒸气在硅片表面生成SiO₂薄膜，PN 500~1200℃结或调整电学特性；退火工艺，通过高温（ ）修复离子注入或扩散造成的晶格损伤，激活掺杂原子，优化器件性能。根据权威机构数据，2023年热处理设备在集成电路设备资本支出中的占比为3.0%。北方华创在热处理设备领域，已形成了立式炉和快速热处理设备（RTP）的全系列布局。2024年公司热处理设备收入超20亿元。北方华创主要批量销售的热处理设备包括：产品类别 图示 应用介绍12英寸立式中高温氧化退火炉 主要用于集成电路制造中氧化硅的生长、中高温退火及水汽退火工艺。该设备具备优异的氧化层厚度、均匀性控制能力和退火质量，能有效提升器件电学稳定性，避免漏电或性能漂移。12英寸立式低温合金退火炉 主要用于集成电路及先进封装中金属合金处理、低温H退火及PI胶固化工艺。
该设备具备先进的控温技术及合金化处理工艺，能有效降低欧姆接触电阻，降低芯片功耗，提高信号传输速度。12英寸快速热处理设备（RTP） 主要用于集成电路制造中快速热处理工艺，包括修复因离子注入、扩散等工艺步骤造成的晶格损伤，以及降低晶体缺陷等，从而提高半导体器件的性能和可靠性。该设备具有加热速度快、热预算小、工艺时间短、杂质扩散少等优点。12英寸单片减压原位湿法氧化系统 主要用于集成电路制造中湿法氧化、减压Spike、原位水汽氧化等工艺，可实现低界面态缺陷密度氧化物生长，有效防止漏电与隔离，提高晶体管的开关速度和信号传输速率。12英寸等离子氮化系统 主要用于集成电路制造中的栅极氮化工艺。该设备具备优异的氮渗透控制能力，可有效增大绝缘栅介电常数并降低有效绝缘栅厚度，提升晶体管性能，满足多种工艺制程芯片需求。8英寸SiC高温氧化炉 主要用于SiC器件中的高温氧化工艺。该工艺对提高SiC的沟道迁移率和栅极的可靠性至关重要。8英寸SiC高温退火炉 主要用于SiC器件中的高温退火工艺。该工艺可激活掺杂原子，同时修复破损晶格，实现掺杂改性目的。
（4）湿法设备
湿法工艺贯穿半导体制造的整个环节，通过化学溶液，结合物理或化学机理，对晶圆表面的颗粒物、有机残留物、
金属离子、氧化层及副产物等加以去除，进而减少污染，避免缺陷，在提升制造良率，保障器件性能与可靠性方面发挥着无可替代的作用。随着芯片特征尺寸向纳米级不断缩小，对晶圆表面污染物的控制要求越来越高，湿法工艺步骤的数量随之大幅提高。同时，随着芯片技术朝三维集成方向持续发展，高深宽比结构的有效塑型与清洗为湿法工艺带来了更大挑战，高精度、高效率、低损伤湿法技术设备解决方案成为关键。根据权威机构数据，2023年湿法设备在集成电路制造设备资本支出的占比为5.5%。北方华创在湿法设备领域，已形成了单片设备和槽式设备的全面布局。2024年公司湿法设备收入超10亿元。北方华创已批量销售的湿法设备主要包括：产品类别 图示 应用介绍12英寸前段单片湿法设备 主要用于12英寸前段清洗工艺，采用了堆叠式架构及多片式传输系统，占地小、产能高；采用热异丙醇（IPA）干燥技术，达到良好的干燥效果；颗粒去除表现卓越，性能跻身国内领先水平。12英寸后段单片湿法设备 主要用于12英寸后段清洗工艺，采用多片式传输系统保障高效工艺产出；精密的腔室及卡盘设计支持超高的化学品回收效率。12英寸槽式湿法设备 主要用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示等领域12英寸清洗工艺。采用模块化、标准化设计，满足客户多种工艺应用需求；集成多功能药液槽，刻蚀速率控制精准；应用先进的低压干燥技术，达到良好的干燥效果，实现槽式湿法工艺全覆盖，成为行业客户首选设备。8英寸槽式湿法设备 主要用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示等领域8英寸清洗工艺。管舟清洗设备 主要用于石英管/舟、石英板、基座等零部件浸泡式清洗。
（5）离子注入设备
离子注入设备通过高能离子束改变半导体材料的电学特性，是集成电路工艺中形成PN结和调控器件性能的核心装备。其工作原理是先通过离子源产生所需离子，在电场作用下加速至预定能量，再精确注入半导体材料，实现原子的替
换或添加，进而调控材料性能。2023年离子注入设备在集成电路设备资本支出中的占比为3.4%。
2025年3月，北方华创正式宣布进军离子注入设备市场，已发布的离子注入设备包括：产品类别 图示 应用介绍12英寸浸没式离子注入设备 主要用于硅晶圆器件的高剂量、低能量的离子注入掺杂工艺，面向存储和逻辑领域的互补金属氧化物半导体器件的掺杂(CMOSDeviceDoping)、加氢钝化（H-Passivation）、超浅结掺杂（UltraShallowJunctionDoping）、SOI（Silicon-on-Insulator）等工艺应用需求，成为行业客户首选设备。12英寸离子注入设备 主要用于12英寸逻辑、存储芯片B、P、As等元素的注入。该设备可精准控制注入角度，注入剂量，从而独立控制掺杂浓度和节深，调控晶体管电性能。
2、真空及新能源装备
（1）晶体生长设备
晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备，通过直拉法（CZ）、区熔法（FZ）或化学气相沉积（CVD）等工艺，在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体，广泛应用于集成电路、新能源
光伏、半导体照明等领域。其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度，确保晶体结构完整和低缺陷密度，从而提升电子器件的性能与可靠性。随着半导体和新能源产业升级，晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制及低能耗方向持续迭代，支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。北方华创主要批量销售的晶体生长设备包括：产品类别 图示 应用介绍电阻式SiC长晶炉 主要用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长。该设备具备多加热器设计，可进行灵活的工艺和热场设置，下装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时具备高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优异。感应式SiC长晶炉 主要用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长。该设备具备创新的结构设计，可提供高纯材料生长能力，拥有高精度的控温、控压能力，工艺性能优异，设备一致性好。液相法碳化硅长晶炉 液相法碳化硅长晶炉通过将碳溶解在硅与助溶剂组成的高温溶液中形成碳化硅溶质，并通过加热功率控制、运动控制等方式形成温度梯度，实现碳化硅溶质在籽晶表面的析出、成晶，最终实现碳化硅晶体生长。设备工艺稳定性强，为客户带来优异的产品良率，同时具有晶体生长速率快、能耗低、维护便利等特性，助力客户降低运营成本，提高生产效率。单晶硅生长炉 主要用于光伏产业单晶硅制备工艺，该设备具有大投料量、高拉速、低能耗、自动化、智能化优势，可全自动并行工艺处理。
（2）真空热工设备
真空热工设备是在真空或低气压环境下进行材料热处理、加工或制备的特种工业装备，其通过抽真空技术消除气体
干扰（如氧化、污染），精准调控材料性能，广泛应用于航空航天、电真空器件、新能源及精密制造等领域。典型设备包括真空热处理炉（用于金属退火、淬火等工艺，提升力学性能）、真空钎焊炉（无氧高精度焊接航空发动机叶片等精密部件）、真空镀膜设备（通过PVD/CVD技术制备光学或耐磨涂层）以及真空烧结炉（实现陶瓷、硬质合金的高致密化烧结）等。该设备具备无氧化污染、工艺可控性强、节能环保等优势，可保障材料高纯度加工并减少能耗。随着新材料需求增长，真空热工设备正向智能化、多功能集成化方向演进，成为高端制造业的核心装备。北方华创主要批量销售的真空热工设备包括：产品类别 图示 应用介绍高温氢气烧结炉 主要用于半导体设备核心部件陶瓷材料在高温氢气下的烧结。设备最高工艺温度1650℃，可在高温氢气气氛下长期保温并具有良好的均匀性。连续高温石墨化炉 主要用于碳碳、碳陶及石墨等碳材料的石墨化工艺。设备最高温度可达2400℃，多个真空腔室串联可实现连续化生产，运动系统全伺服控制，设备运行稳定可靠、能耗低、操作简单、自动化程度高、产品一致性优异。真空钎焊炉 主要用于铝及铝合金材料的真空钎焊工艺，广泛应用于半导体核心零部件加工。通过将钎料加热熔化，依靠毛细力作用对零件间隙进行填充，实现冶金结合。设备采用分区功率控制与温度补偿实现高工艺温度均匀性（≤±3℃），增强了焊接质量，助力客户提高产品质量。
（3）新能源光伏设备
北方华创深耕新能源光伏电池片设备，引领行业技术不断升级。公司成功研发大产能5管/6管/10管/12管设备，尺寸覆盖182~230等多种工艺方形或矩形片。在大尺寸Wafer工艺上为光伏行业提供专业、高效、先进、低成本的解决方
案，并通过等离子场、电场、气场、温度场等理论分析，完成了单舟到多舟的技术迭代，单管产能不断升级，完成了在TOPCon工艺路线大产能设备的行业布局。公司低压扩散设备、低压硼扩设备市占率领先，各类扩散、氧化、退火类设备技术性能领先。LPCVD产品实现了大尺寸硅片M10~M12兼容和载片量2,880片的突破，可完成隧穿氧化层、本征多晶硅层、磷原位掺杂多晶硅层等膜层制备。PECVD设备在电池行业的应用覆盖PERC、TOPCon、HJT、BC、钙钛矿电池技术，产品涵盖氮化硅设备、氧化铝和氮化硅2in1设备、隧穿层&Poly层&原位掺杂层3in1设备，新型板式PECVD也实现突破。经过几十年的技术沉淀、创新突破及产研结合，公司累计发布了近百款量产型光伏设备，实现头部客户全覆盖，并出口越南、泰国、新加坡、马来西亚等国家和地区，成为国内及国际光伏设备主流的解决方案提供商。北方华创主要批量销售的新能源光伏装备包括：产品类别 图示 应用介绍管式低压化学气相沉积设备（LPCVD） 主要用于156mm及以上的TOPCon光伏高效电池的超薄隧穿氧化层和Poly薄膜工艺，满足大尺寸硅片及高产能需求，有效提高客户产线生产效率。光伏扩散、氧化、扩散、氧化、退火设备 该设备为多管卧式炉管设备，主要用于晶硅电池制作过程中的硼/磷掺杂、氧化、退火等工艺。等离子增强化学气相沉积设备(PECVD) 主要用于230mm光伏电池减反钝化层、钝化层、多晶硅层（POLY层）及掺杂元素工艺的制备，适用于发射极背面钝化（PERC）电池、隧穿氧化层钝化接触太阳能（TOPCon）电池、异质结（HJT）及背接触（BC）电池生产制造，具有高转换效率、高产能的优异性能。
（4）新能源锂电复合集流体设备
新能源锂电复合集流体设备通过在高分子基材（如PET、PI）表面沉积纳米级金属层（铜、铝等），形成“三明治”
可提升电池能量密度 以上，同时抑制锂枝晶生长，增强锂电池安全性与循环寿命。其高精度卷对卷连续镀膜技术适配大规模量产需求，广泛应用于动力电池、储能系统等领域，助力新能源产业向高效、安全方向升级。北方华创主要批量销售的新能源锂电复合集流体设备包括：产品类别 图示 应用介绍磁控溅射卷绕镀膜设备 该设备主要用于电极集流体、薄膜固态电解质、固固界面缓冲层制备。
基于柔性基材的真空镀膜技术，可实现电池安全性提升、能量密度提高和阻抗降低。设备能耗低、稳定性好，可有效降低客户运营成本。卷绕式蒸发镀膜设备 该设备是一种专为柔性基材（如高分子薄膜、金属箔）表面连续镀膜设计的先进设备，适用于新能源电池集流体、柔性电子电路、光学薄膜及包装材料等领域，兼具高产能、低能耗优势，推动柔性电子与绿色制造的规模化发展。
（5）氢能金属双极板镀膜设备
——
氢能金属双极板镀膜设备是专为氢燃料电池核心组件 金属双极板表面处理而设计的高端制造装备，旨在通过精密镀膜技术提升双极板的耐腐蚀性、导电性及耐久性，满足燃料电池苛刻工况下的性能需求。
北方华创主要批量销售的氢能装备包括：
产品类别 图示 应用介绍
阴极电弧复合磁控
溅射镀膜设备 主要用于氢能燃料电池双极板涂层工艺。该设备凭借自研的GISETCH气体离子刻蚀及辅助沉积技术、4G-CAE第四代阴极电弧技术及泰坦涂层工艺技术，在涂层性能显著提高的同时，有效降低生产成本，为氢能燃料电池产业化提供支持。
3、精密电子元器件
在高端精密电子元器件领域，公司主要产品为电源管理芯片、模拟信号链产品、石英晶体器件、石英微机电传感器、
高精密电阻器、新型电容器、微波组件、电子封装管壳等。公司将现有工艺与半导体工艺相结合研制新产品，拓展新应用。新开发高功率密度负载点电源，可应用于AI、数据中心、新一代高性能FPGA、CPU、GPU等应用场景。公司积极布局模拟信号链产品，已形成覆盖ADC/DAC模数/数模转换器、运算放大器、模拟开关、总线接口、时钟芯片、基准源等十余类300多种产品，并积极拓展数字存储类产品，已经形成FLASH、DDR存储器等系列产品。报告期内，公司研发出基于石英材质的压力传感器芯体，在温漂系数、稳定性方面相较于市场同类型产品有着明显优势；完成抗振动高能钽电容技术攻关和高分子钽电容产品研发，解决行业痛点，产品性能指标大幅提升；成功开发电子封装外壳系列产品，目前已广泛应用于单片集成电路、光电探测和光通信、微波通信模块、射频微系统、光电微系统、汽车电子等领域。北方华创主要批量销售的精密电子元器件包括：产品类别 应用领域模拟信号链产品 采用国内先进半导体工艺制程，结合先进塑料封装技术和高可靠金属陶瓷封装技术，设计并制造了一系列具有代表性的模拟芯片。已形成覆盖模数/数模转换器（ADC/DAC）、运算放大器、模拟开关、总线接口、时钟芯片、基准源等十余类近300种型号。数字存储类产品 利用封装堆叠、键合堆叠等先进堆叠工艺，实现存储容量的大幅提升，满足复杂场景对数据存储速率和容量的双重要求，已形成非易失性存储器-闪存(FLASH)、易失性双倍速率同步动态随机存储器(DDR)等多款大容量存储系列产品。高功率密度负载点电源 该型产品具有体积小、功率密度高等技术优势，可在人工智能、数据中心等场景为新一代高性能现场可编程门阵列(FPGA)、中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)等提供稳定供电。压力传感器芯体 采用高精度石英微机电加工技术和晶圆级直接键合封装技术，芯体具有长期稳定性优异、适应严苛工业环境等优势，可应用于半导体制造中的系统压力监控，以及石油化工流程的高精度压力控制。钽电容器 高能复合钽电容器应用于抗振强度高的能量转换电路，起到功率缓冲、能量吸收、能量补给、断电延时保护等作用。具有高抗振、高能量密度、长使用寿命等优异性能。目前已广泛应用于工业控制、通讯仪表、汽车电子等领域。电子封装外壳 采用先进的多层高温共烧陶瓷和金属玻璃高温封接技术，具有体积小、重量轻、封装密度高、集成度高、导热性能好、电性能参数优异、高频性能佳等优势。目前已广泛应用于单片集成电路、光电探测和光通信、微波通信模块、射频微系统、光电微系统、汽车电子等领域。石英晶体振荡器 采用基于微机电系统（MEMS）石英晶片加工平台及专用集成电路设计平台实现，具有体积小、频率稳定性高、相噪低、高频特性好、可靠性高等优势。目前已广泛用于通信仪表、工业控制等领域。精密电阻器 采用先进磁控溅射技术和干湿法刻蚀技术，具有阻值精度高、温度系数小、体积小、重量轻、稳定高可靠等特点。目前已广泛用在通讯仪表、自动控制、汽车电子等重要领域。
2、收入与成本
（1）营业收入构成
公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下，公司最近1年按报告期末口径调整后的主营业务数据□适用不适用
（）公司实物销售收入是否大于劳务收入是□否行业分类 项目 单位2024年2023年 同比增减电子工艺装备 销售量 元 27,706,652,584.82 19,611,467,774.55 41.28%生产量 元 29,835,073,954.11 21,395,567,382.62 39.45%库存量 元 10,633,466,683.00 8,505,045,313.71 25.03%电子元器件 销售量 元 2,094,203,897.75 2,432,539,760.98 -13.91%生产量 元 2,020,519,898.72 2,431,167,777.52 -16.89%库存量 元 143,327,269.58 217,011,268.61 -33.95%相关数据同比发生变动30%以上的原因说明适用□不适用公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。公司电子元器件受市场需求下滑影响，库存量下降。
（4）公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况□适用不适用
（5）营业成本构成
行业分类
（6）报告期内合并范围是否发生变动
是□否
1、本公司设立北方华创创新投资（北京）有限公司，持股比例为100%，故纳入合并报表范围。
2、本公司子公司北京华丞电子有限公司收购上海睿法电子科技有限公司，持股比例为100%，故纳入合并报表范围。
3、本公司子公司北京华丞电子有限公司设立青岛北方华创精密科技有限公司，持股比例为100%，故纳入合并报表范围。
4、本公司子公司北京华丞电子有限公司设立北京华丞精密电子有限公司，持股比例为100%，故纳入合并报表范围。
（7）公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况
□适用不适用
（8）主要销售客户和主要供应商情况
3、费用
费增加6.93亿元，折旧摊销费增加2.61亿元，职工薪酬增加1.70亿元。
4、研发投入
适用□不适用
主要研发项目名称 项目目的 项目进展 拟达到的目标 预计对公司未来发展的影响半导体装备研发项目 提高半导体装备的技术水平，扩展产品线。 按计划实施中 加大集成电路先进制程装备研发力度，扩展现有核心装备工艺覆盖率，探索新技术领域的产品开发。 有利于提高公司半导体装备业务的竞争能力
5、现金流
1、2024年经营活动现金流入小计为30,035,457,702.26元，比上年同期增加25.97%，其主要原因是：2024年销售订单继
续保持良好趋势，收到的货款增加。
2、2024年经营活动现金流出小计为28,462,292,647.99元，比上年同期增加32.51%，其主要原因是：公司为了满足订单
需求，生产规模较上期增加，材料采购及人工成本支付的现金增加。
3、2024年经营活动产生的现金流量净额为1,573,165,054.27元，比上年同期减少33.48%，其主要原因是：公司为了满足
订单需求，采购商品支付的货款增加。
4、2024年投资活动现金流入小计为7,502,223.44元，比上年同期增加165.26%，其主要原因是：处置长期资产收回的现
金净额增加。
5、2024年筹资活动现金流入小计为1,989,199,903.07元，比上年同期减少32.14%，其主要原因是：取得借款收到的现金
减少。、 年筹资活动产生的现金流量净额为 元，比上年同期减少 ，其主要原因是：取得借款收到的现金较上期减少。
7、2024年现金及现金等价物净增加额为106,901,086.40元，比上年同期减少94.57%，其主要原因是：筹资活动现金流
净额减少9亿。报告期内公司经营活动产生的现金净流量与本年度净利润存在重大差异的原因说明□适用不适用
五、非主营业务分析
适用□不适用
六、资产及负债状况分析
1、资产构成重大变动情况
势，客户结构、订单结构的变化，客户预付款比例有所下降。长期借款 3,946,105,390.91 6.01% 5,835,243,587.06 10.88% -4.87%租赁负债 162,592,146.48 0.25% 142,297,196.26 0.27% -0.02%无形资产 4,702,522,978.78 7.16% 2,546,982,901.91 4.75% 2.41%其他非流动资产 975,604,789.78 1.48% 167,921,271.47 0.31% 1.17%应付账款 10,164,984,911.84 15.47% 6,116,957,785.07 11.41% 4.06%递延收益 5,832,723,684.88 8.88% 3,734,962,435.29 6.97% 1.91%境外资产占比较高□适用不适用
2、以公允价值计量的资产和负债
适用□不适用
3、截至报告期末的资产权利受限情况
七、投资状况分析
1、总体情况
适用□不适用
2、报告期内获取的重大的股权投资情况
□适用不适用
3、报告期内正在进行的重大的非股权投资情况
□适用不适用
4、金融资产投资
公司报告期不存在证券投资。
（2）衍生品投资情况
□适用不适用
公司报告期不存在衍生品投资。
5、募集资金使用情况
适用□不适用
（1）募集资金总体使用情况
适用□不适用
（1） 本期
已使
用募
集资
金总
额 已累
计使
用募
集资
金总
额
（2） 报告
期末
募集
资金
使用
比例
（3）
=
（2）
/
（1） 报告
期内
变更
用途
的募
集资
金总
额 累计
变更
用途
的募
集资
金总
额 累计
变更
用途
的募
集资
金总
额比
例 尚未
使用
募集
资金
总额 尚未
使用
募集
资金
用途
及去
向 闲置
两年
以上
募集
资金
金额
2019年 非公
开发2019年12 199,9
99.99 198,1
1、2019年11月，公司向特定对象非公开发行股票募集资金总额为人民币199,999.99万元，扣除各项发行费用（不含税）共计人民币1,867.68万元后，实际存入募集资金专户的金额为人民币198,132.31万元。本报告期投入募集资金总额为881.63万元。截至2024年12月31日，已累计投入募集资金总额197,853.42万元。募集资金专户余额2,989.78万元。
2、2021年10月，公司向特定对象非公开发行股票募集资金总额为人民币849,999.99万元，扣除各项发行费用（不含税）共计人民币4,791.32万元后，实际存入募集资金专户的金额为人民币845,208.67万元。本报告期投入募集资金总额为52,536.51万元。截至2024年12月31日，已累计投入募集资金总额673,266.22万元，以前年度使用闲置募集资金暂时补充流动资金金额为558,000.00万元，已全部归还。本年度使用闲置募集资金暂时补充流动资金金额为170,000.00万元，已归还40,000.00万元。募集资金专户余额53,952.36万元。
（2）募集资金承诺项目情况
适用□不适用
(2) 截至
期末
投资
进度
(3)＝
(2)/(1
) 项目
达到
预定
可使
用状
态日
期 本报
告期
实现
的效
益 截止
报告
期末
累计
实现
的效
益 是否
达到
预计
效益 项目
可行
性是
否发
生重
大变
化
承诺投资项目
高端
集成
电路
装备
研发
及产
业化
项目2019年12
月06
日 高端
集成
电路
装备
研发
及产
业化
截至2019年12月31日，公司以自筹资金预先投入募集资金投资项目的实际投资额为人民币284,867,554.45元，其中高端集成电路装备研发及产业化项目已投入229,857,609.18元，高精密电子元器件产业化基地扩产项目已投入55,009,945.27元。募集资金到位后，公司以284,867,554.45元募集资金置换预先已投入募投项目的自筹资金。上述事项已经中审亚太会计师事务所（特殊普通合伙）验证并出具中审亚太审字（2019）010679号专项审核报告。2020年2月21日，公司第七届董事会第二次会议审议通过了《关于以募集资金置换预先已投入募集资金投资项目自筹资金的议案》，并于2020年3月23日前置换完毕。
截至2021年10月31日，公司以自筹资金预先投入募集资金投资项目的实际投资额为人民币505,323,466.50元，其中半导体装备产业化基地扩产项目（四期）已投入38,878,297.90元，高端半导体装备研发项目464,504,668.60元，高精密电子元器件产业化基地扩产项目（三期）已投入1,940,500.00元。募集资金到位后，公司以505,323,466.50元募集资金置换预先已投入募投项目的自筹资金。上述事项已经中审亚太会计师事务所（特殊普通合伙）验证并出具中审亚太审字（2021）011090号专项审核报告。2021年12月10日，公司第七届董事会第十五次会议审议通过了《关于以募集资金置换预先已投入募集资金投资项目自筹资金的议案》，并于2021年12月22日前置换完毕。用闲置募集资金暂时补充流动资金情况 适用2020年7月23日，公司第七届董事会第六次会议审议通过了《关于全资子公司使用部分闲置募集资金暂时补充流动资金的议案》，同意公司全资子公司北京北方华创微电子装备有限公司使用闲置募集资金50,000万元暂时补充流动资金，使用期限为自董事会审议通过之日起不超过12个月，截至2021年5月31日，已全部归还。2021年12月10日，公司第七届董事会第十五次会议审议通过了《关于全资子公司使用部分闲置募集资金暂时补充流动资金的议案》，同意公司全资子公司北京北方华创微电子装备有限公司使用闲置募集资金250,000万元暂时补充流动资金，使用期限为自董事会审议通过之日起不超过12个月。截至2022年10月18日，已全部归还。2022年10月28日，公司第七届董事会第二十五次会议审议通过了《关于全资子公司使用部分闲置募集资金暂时补充流动资金的议案》，同意公司全资子公司北京北方华创微电子装备有限公司使用闲置募集资金250,000万元暂时补充流动资金，使用期限为自董事会审议通过之日起不超过12个月。截至2023年10月13日，已全部归还。2023年10月30日，公司第八届董事会第七次会议审议通过了《关于全资子公司使用部分闲置募集资金暂时补充流动资金的议案》，同意公司全资子公司北京北方华创微电子装备有限公司使用闲置募集资金120,000万元暂时补充流动资金，使用期限为自董事会审议通过之日起不超过12个月。使用期限内补充流动资金98,000万元，截至2024年10月08日，已全部归还。2024年10月29日，公司第八届董事会第十七次会议审议通过了《关于全资子公司使用部分闲置募集资金暂时补充流动资金的议案》，同意公司全资子公司北京北方华创微电子装备有限公司使用闲置募集资金130,000万元暂时补充流动资金，使用期限为自董事会审议通过之日起不超过12个月。截至2024年12月31日，已补充流动资金130,000万元。项目实施出现募集资金结余的金额及原因 适用截至2022年6月30日，北京飞行博达电子有限公司已将高精密电子元器件产业化基地扩产项目的账户注销，账户剩余金额（含利息收入）共4,098.87元扣除手续费后结余4,094.37元已转入北京飞行博达电子有限公司基本户。尚未使用的募集资金用途及去向 募集资金账户募集资金使用及披露中存在的问题或其他情况 无
（3）募集资金变更项目情况
□适用不适用
公司报告期不存在募集资金变更项目情况。
八、重大资产和股权出售
1、出售重大资产情况
□适用不适用
公司报告期未出售重大资产。
2、出售重大股权情况
□适用不适用
九、主要控股参股公司分析
适用□不适用
十、公司控制的结构化主体情况
□适用不适用
十二、报告期内接待调研、沟通、采访等活动
适用□不适用
接待时间 接待地点 接待方式 接待对象类型 接待对象 谈论的主要内容及提供的资料 调研的基本情况索引
2024年01月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者1人次、个人投资者4人次 行业及公司业务介绍 无
2024年02月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者1人次、个人投资者3人次 行业及公司业务介绍 无
2024年03月 公司 电话沟通 个人 个人投资者2人次 行业及公司业务介绍 无
2024年04月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者3人次、个人投资者5人次 行业及公司业务介绍 无
2024年05月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者2人次、个人投资者3人次 行业及公司业务介绍 无
2024年06月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者2人次、个人投资者4人次 行业及公司业务介绍 无
2024年07月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者4人次、个人投资者3人次 行业及公司业务介绍 无
2024年08月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者3人次、个人投资者3人次 行业及公司业务介绍 无
2024年09月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者4人次、个人投资者4人次 行业及公司业务介绍 无
2024年10月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者3人次、个人投资者4人次 行业及公司业务介绍 无
2024年11月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者4人次、个人投资者3人次 行业及公司业务介绍 无
2024年12月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者3人次、个人投资者5人次 行业及公司业务介绍 无
十三、市值管理制度和估值提升计划的制定落实情况
公司是否制定了市值管理制度。
是□否
为推动提升公司的投资价值，进一步加强与规范公司的市值管理活动，维护公司、投资者及其他利益相关者的合法
权益，根据《公司法》《证券法》《国务院关于改进和加强中央企业控股上市公司市值管理工作的若干意见》《上市公司监管指引第10号——市值管理》《深圳证券交易所股票上市规则》等法律法规、规范性文件和《公司章程》的有关规定，公司制定了《市值管理制度》，并经2025年4月24日召开的公司第八届董事会第二十四次会议审议通过。公司将聚焦主业，提升经营效率和盈利能力，同时可以结合实际情况，综合运用并购重组、股权激励、现金分红、投资者关系管理、提升信息披露质量及其他合法合规的方式提升公司投资价值。公司是否披露了估值提升计划。□是否十四、“质量回报双提升”行动方案贯彻落实情况公司是否披露了“质量回报双提升”行动方案公告。是□否自2024年2月实施“质量回报双提升”行动方案以来，公司围绕五大核心举措持续推进战略实施，各项工作取得显著成效。
1、聚焦主业发展成效显著
2024年公司持续深化半导体基础产品领域布局，核心业务保持高速增长。报告期内实现营业收入298.38亿元，同比
增长 ；归母净利润 亿元，同比增长 。在集成电路装备领域，双大马士革 刻蚀机、 设备等多款高端装备实现客户端量产，工艺覆盖度及市场占有率进一步提升，产品矩阵完整性显著增强。
2、创新驱动能力持续强化
公司坚持研发投入强度行业领先，报告期内研发投入53.72亿元，同比增长21.82%。截至2024年底，公司累计申请专利9,200余件，累计获得授权专利5,300余件，继续稳居国内集成电路装备企业首位。报告期内成功开发高介电常数
ALD设备、堆叠式清洗机等关键装备，在逻辑芯片、存储芯片及先进封装领域实现技术突破，荣获“国家技术创新示范企业”等多项荣誉，创新成果获国务院“国家卓越工程师团队”表彰。
3、公司治理与社会责任并进
持续完善法人治理结构，通过ISO37301合规管理体系认证，构建“3N生态质量管理模式”，入选全国首批“质量强国建设领军企业培育库”。在绿色制造方面，半导体装备产业化基地四期项目建成投产，通过智能化改造实现生产效
30% ESG率提升 。积极践行社会责任，开展乡村振兴、无偿献血等公益活动，供应链 管理体系有效运行。
4、投资者关系管理优化升级
公司严格遵守相关法律法规和监管机构的规定，构建多维度沟通体系，通过业绩说明会、电话沟通、互动易等渠道
充分与投资者开展沟通，同时致力于不断提高在生产经营、产品创新等关键信息的透明度，减少冗余信息披露，努力构建满足投资者需求的信息披露机制，连续4年荣获深交所“信息披露考核A级”评价。
5、投资者回报机制逐步完善
公司严格执行利润分配政策， 年实施现金分红 亿元，近三年累计分红 亿元，近三年年均现金分红比例10.25%。随着公司的发展，将致力于构建长期可持续的股东回报机制。未来，公司将继续围绕“质量回报双提升”战
略，深化技术创新与产业协同，强化风险管控能力，以高质量发展回馈投资者信任，为资本市场稳定健康发展贡献力量。
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