长鑫科技(688825)：制程节点及产品结构优化 国产替代空间广阔*张天

事件描述


　　公司发布2026 年三季报，2026 年前三季度实现营业收入2690.24 亿元，同比增长738.51%；实现归母净利润1320.40 亿元，同比扭亏；实现扣非归母净利润1340 亿元，同比增长127x。其中26Q3 单季度实现营业收入约1187.14 亿元，同比增长613.18%，归母净利润544.35 亿元，同比扭亏，环比增长3.01%。考虑到公司长鑫新桥、长鑫集电的少数股东损益，公司三季度环比增长符合市场乐观预期。


　　事件点评


　　长鑫科技是国内第一、全球第四的DRAM 研发设计制造一体化企业，产品覆盖DDR4、LPDDR4X 至DDR5、DDR5X 及LPDDR6 全系列，广泛应用于服务器、移动设备、PC、智能汽车等领域，客户涵盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米等头部厂商。AI 服务器用HBM2e、HBM3 及3D DRAM产品研发持续推进，4F2-CBA 技术处于行业领先水平。


　　DRAM 维持超级景气，公司份额持续提升。 2025 年下半年以来，AI算力需求快速增长，全球存储行业景气度显著提升，HBM 产品供不应求、普通DRAM 产能挤占，价格实现大幅增长，同时，AI 推理及智能体应用带动高容LPDDR、RDIMM 需求抬升，公司作为全球少数颗粒原厂充分受益于价格景气周期，市场份额不断抬升，根据Trendforce 统计，截至2026 年中，长鑫科技市占率达9.5%，环比提升1.9pct。


　　G5 平台全面量产，4F?架构全球领先。1）2026 年9 月，公司宣布第五代DRAM 技术平台实现量产，公司利用四重曝光技术实现内存阵列有源区半间距至11.95nm，并通过变革工艺及采用新材料，存储密度跨越式提升，单片晶圆产出裸片数量较G4 平台提升50%以上。2）公司在4F?垂直沟道架构上具备先发优势，预计于年底推出基于该项技术的DDR5 RDIMM 产品。


　　4F?技术是通过重构晶体管结构，将沟槽由水平变为垂直，理论条件下，相比6F?架构，存储单元面积有望减少30%，每片晶圆裸die 数量有望提升。


　　大额回购彰显长期发展信心。2026 年10 月，公司发布回购股份公告，拟以不超过人民币72.69 元/股的价格回购10-20 亿元对用股份。2026 年11月，公司董事长进一步提议将回购金额增加值25 亿元至50 亿元，存储代工为重资产行业的背景下，回购金额大幅提升，彰显公司长期发展信心。


　　投资建议


　　受AI 需求扩张及对成熟制程产品产能挤占，存储晶圆厂需求旺盛，公司作为国内第一、全球第四的DRAM 颗粒原厂受益于存储超级周期，同时自　　研的G5 平台及4F?技术打破EUV 对先进制程的垄断，有望随AI 服务器放量发展充分受益。预计公司2026-2028 年EPS 分别为3.04\4.82\5.79，对应公司11 月06 日收盘价的2026-2028 年PE 分别为14.5\9.2\7.6，首次覆盖给予“增持-A”评级。


　　风险提示


　　1）DRAM 价格波动风险。存储为强周期行业，公司盈利对DRAM 价格高度敏感。需求端AI 资本开支降低或供给端行业新增产能集中释放将导致供需格局逆转，进而。2）产能扩张与资本开支风险。全球DRAM 持续紧缺，公司加大资本开支提升产能。若技术迭代、设备进场、良率爬升或产能利用率不及预期，可能影响当期利润水平。3）新技术迭代风险。公司持续推进研发HBM、3D DRAM 及4F2-CBA 工艺，但在先进制程、混合键合等环节与三星、海力士等国际大厂存在一定差距，若技术路线判断失误或国际竞争加剧可能影响公司全球份额。4）次新股定价风险。公司上市时间较短，次新股估值体系尚未完全定价，存在一定风险。

□.张.天./.李.明.阳    .山.西.证.券.股.份.有.限.公.司